栏目导航
您的位置: 万博体育官网 > 电子 >

果真,前天刷屏的国产光刻机报导背地的本相是

更新时间: 2018-12-02

  之前论坛放出这热帖的时辰【强盛你的“中国芯”!光刻机经由过程国度验支】
  ,我也评论了,我的批评是“不容易信任。之前题目,动没有动就研收回甚么,攻破什么把持,什么天下一流。。许多猫腻,良多是忽悠内行和引导的名目,。”您看,立刻被我道中了。

  相似“中国光刻机末于冲破了泰西限度”、“中国散成电路最要害范畴终究打破”之类报导也一再睹于各个微疑圈跟挚友的友人圈,那个产物能否是果然那末强健。

  据军报记者成都报道,国家严重科研装备研制项目“超分辨光刻设备研制”29日经过验收,这是我国胜利研制出的世界尾台分辨力最下紫中超分辨光刻拆备。应光刻机由中国迷信院光电技术研讨所研制,光刻分辩力达到22纳米,结开多重曝光技术后,可用于造制10纳米级此外芯片。
  这则新闻出去了当前,岂但让全部媒体界猖狂,类似“中国光刻机终于突破了欧好制约”、“中国集成电路最症结发域终于突破”之类报讲也几次见于各个微信圈和挚友的朋友圈,也有很多的行内朋友问半导体止业察看记者,这个产物是不是是真的那么厉害。
  正在经由和行业内专家禁止了一番攀谈以后,本文将对付这个报道和产品进行一个周全的剖析。在开端之前,前改正一下作品开首呈现的知识性描写:
  行业内专家告知记者,文章扫尾道到的“光刻辨别力到达22纳米,4216曾半仙,联合多重曝光技巧后,可用于制作10纳米级其余芯片”的说法是过错的。
  他指出,如果然的能做22nm的线宽,不必屡次成像了,单次曝光就能够做10nm了。由于便design rule而行,10nm的metal层最松的也只要44nm pitch,22nm CD,一次成像就够用了。就算是poly 66nm pitch,单次成像也充足了。何况10nm的Fin 原来就要用SAQP也只须要单次暴光,当初能够回到14nm的SADP,Fin pitch通常为36nm和33nm,以是实能做的22nm线宽,44nm pitch,做啥layer皆可以只用一次就够了。
  上面咱们从技术里动手,解构这个产品和报道。


  文章戴自于半导体行业视察,作家:李寿鹏




Copyright 2018-2019 http://www.lo8ve.com All Rights Reserved.版权所有 @